IXXK200N65B4

Производитель: IXYS
Номер части: IXXK200N65B4
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/370A TRENCH IGBT GENX4 XPT

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Pd - рассеивание мощности	1150 W
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Коммерческое обозначение	XPT
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.4 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	370 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	200 A
Производитель	IXYS
Размер фабричной упаковки	25
Серия	IXXK200N65
Ток утечки затвор-эмиттер	200 nA
Торговая марка	IXYS
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-264-3

Метки: