FDP10N60NZ

Производитель: ON Semiconductor / Fairchild
Номер части: FDP10N60NZ
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
FDP10N60NZ Лист данных	скачать

МОП-транзистор 600N-Channel МОП-транзистор UniFET-II

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	10 A
Pd - рассеивание мощности	185 W
Qg - заряд затвора	23 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	640 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
Vgs - напряжение затвор-исток	25 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	5 V
Вес изделия	1.800 g
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	50 ns
Время спада	50 ns
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	14 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Fairchild Semiconductor
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	FDP10N60NZ
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	70 nS
Типичное время задержки при включении	25 nS
Торговая марка	Fairchild Semiconductor
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3

Метки: