FF600R12KE3

Производитель: Infineon Technologies
Номер части: FF600R12KE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Срок эксплуатации:

Окончание срока эксплуатации: Изделие признано устаревшим и будет снято с производства.

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
FF600R12KE3 Лист данных	скачать

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 600A DUAL

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Pd - рассеивание мощности	2.8 kW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Конфигурация	Dual
Максимальная рабочая температура	+ 125 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
Минимальная рабочая температура	- 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.7 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	850 A
Продукт	IGBT Silicon Modules
Производитель	Infineon
Размер фабричной упаковки	2
Ток утечки затвор-эмиттер	400 nA
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка / блок	IHM130

Метки: