Ничего не куплено!
NTP8G202NG
Производитель: ON Semiconductor
Номер части: NTP8G202NG
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: NTP8G202NG
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Цена в Азии: по запросу
Цена в Азии: по запросу
МОП-транзистор GAN 600V 9A 290MO
| МОП-транзистор | |
| Id - непрерывный ток утечки | 9 A |
| Pd - рассеивание мощности | 65 W |
| Qg - заряд затвора | 6.2 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 350 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | +/- 18 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.6 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 4.5 ns |
| Время спада | 5 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Технология | GaN |
| Типичное время задержки выключения | 9.7 ns |
| Типичное время задержки при включении | 6.2 ns |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
Страница создана за 0.172 секунд.