DMN1045UFR4-7

Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: DMN1045UFR4-7
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор N-Ch Enh Mode FET 12V 3.2A 8Vgss

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	3.2 A
Pd - рассеивание мощности	1.26 W
Qg - заряд затвора	4.8 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	25 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	12 V
Vgs - напряжение затвор-исток	8 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	400 mV
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	25 ns
Время спада	48 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	DMN10
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	93 ns
Типичное время задержки при включении	7 ns
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	X2-DFN1010-3

Метки: