BSM50GB170DN2

Производитель: Infineon Technologies
Номер части: BSM50GB170DN2
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
BSM50GB170DN2 Лист данных	скачать

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 50A 500W HALF-BRIDGE

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Pd - рассеивание мощности	500 W
Вид монтажа	Screw
Категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Конфигурация	Half Bridge
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
Минимальная рабочая температура	- 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	1700 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	3.4 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	72 A
Продукт	IGBT Silicon Modules
Производитель	Infineon
Размер фабричной упаковки	10
Ток утечки затвор-эмиттер	320 nA
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Tray
Упаковка / блок	Half Bridge1

Метки: