Ничего не куплено!
DMN3030LFG-7
Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: DMN3030LFG-7
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: DMN3030LFG-7
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Цена в Азии: по запросу
Цена в Азии: по запросу
МОП-транзистор 650V N-Ch Enh FET 30V VDSS 25V VGSS
| МОП-транзистор | |
| Id - непрерывный ток утечки | 5.3 A |
| Pd - рассеивание мощности | 900 mW |
| Qg - заряд затвора | 17.4 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 27 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.1 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 6.6 ns |
| Время спада | 6.3 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | Diodes Incorporated |
| Серия | DMN3030 |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 19 ns |
| Типичное время задержки при включении | 2.5 ns |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | PowerDI3333-8 |
Страница создана за 4.855 секунд.