Ничего не куплено!


| Описание | действие |
| BLF6G27LS-50BN,112 Лист данных | скачать |
| РЧ МОП-транзисторы | |
| Id - непрерывный ток утечки | 430 mA |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 250 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 65 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 13 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.9 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Выходная мощность | 3 W |
| Категория продукта | РЧ МОП-транзисторы |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | NXP |
| Рабочая частота | 2.5 GHz to 2.7 GHz |
| Тип | RF Power MOSFET |
| Торговая марка | NXP Semiconductors |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | SOT-1121B-5 |
| Усиление | 16.5 dB |