Ничего не куплено!
SIHB8N50D-GE3
Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SIHB8N50D-GE3
Нормоупаковка: 1000 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: SIHB8N50D-GE3
Нормоупаковка: 1000 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Цена в Азии: по запросу
Цена в Азии: по запросу
МОП-транзистор 500V 850mOhms@10V 8.7A N-Ch D-SRS
| МОП-транзистор | |
| Id - непрерывный ток утечки | 8.7 A |
| Pd - рассеивание мощности | 156 W |
| Qg - заряд затвора | 15 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 850 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | Vishay |
| Серия | E |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | D2PAK-3 |
Страница создана за 0.168 секунд.