FGD3N60UNDF

Производитель: Fairchild Semiconductor
Номер части: FGD3N60UNDF
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
FGD3N60UNDF Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V, 3A Short Circuit Rated IGBT

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Pd - рассеивание мощности	60 W
Вес изделия	260.370 mg
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2.4 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	6 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	3 A
Производитель	Fairchild Semiconductor
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	FGD3N60
Ток утечки затвор-эмиттер	10 uA
Торговая марка	Fairchild Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	TO-252-3

Метки: