Ничего не куплено!
FGA20N120FTDTU
Производитель: Fairchild Semiconductor
Номер части: FGA20N120FTDTU
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: FGA20N120FTDTU
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V N-Chan Trench
| Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | |
| Вес изделия | 6.401 g |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 25 V |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 40 A |
| Производитель | Fairchild Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки | 450 |
| Серия | FGA20N120FTDTU |
| Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-3PN-3 |
Страница создана за 0.152 секунд.