APT10045B2LLG

Производитель: Microsemi
Номер части: APT10045B2LLG
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
APT10045B2LLG Лист данных	скачать

Дискретные полупроводниковые модули Power MOSFET - MOS7

Дискретные полупроводниковые модули
Id - непрерывный ток утечки	23 A
Pd - рассеивание мощности	565 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	450 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	1 kV
Vf - прямое напряжение	1.3 V
Vgs - напряжение затвор-исток	+/- 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
Время нарастания	5 ns
Время спада	8 ns
Диапазон рабочих температур	- 55 C to + 150 C
Категория продукта	Дискретные полупроводниковые модули
Конфигурация	Single
Полярность транзистора	N-Channel
Продукт	Power MOSFET Modules
Производитель	Microsemi
Тип	Power Module
Типичное время задержки выключения	30 ns
Типичное время задержки при включении	10 ns
Торговая марка	Microsemi
Упаковка	Bulk

Метки: