Ничего не куплено!


| Описание | действие |
| STGB20NC60V Лист данных | скачать |
| Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | |
| Pd - рассеивание мощности | 200 W |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.8 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 60 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 60 A |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | 600-650V IGBTs |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | D2PAK-3 |