DMN10H099SK3-13

Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: DMN10H099SK3-13
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 100V N-Ch Enh FET 20Vgs 1172pF 25.2nC

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	17 A
Pd - рассеивание мощности	34 W
Qg - заряд затвора	25.2 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	69 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	5.9 ns
Время спада	7.3 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	DMN10H
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	DMN10
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	20 ns
Типичное время задержки при включении	5.4 ns
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	TO-252-2

Метки: