Ничего не куплено!
APT51M50J
Производитель: Microsemi
Номер части: APT51M50J
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: APT51M50J
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Дискретные полупроводниковые модули Power MOSFET - MOS8
| Дискретные полупроводниковые модули | |
| Id - непрерывный ток утечки | 51 A |
| Pd - рассеивание мощности | 480 W |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 64 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Вид монтажа | Screw |
| Время нарастания | 55 ns |
| Время спада | 39 ns |
| Категория продукта | Дискретные полупроводниковые модули |
| Коммерческое обозначение | POWER MOS 8, ISOTOP |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Продукт | Power MOSFET Modules |
| Производитель | Microsemi |
| Типичное время задержки выключения | 120 ns |
| Типичное время задержки при включении | 45 ns |
| Торговая марка | Microsemi |
| Упаковка | Bulk |
| Упаковка / блок | SOT-227-4 |
Страница создана за 0.173 секунд.