FJI5603DTU

Производитель: Fairchild Semiconductor
Номер части: FJI5603DTU
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT NPN Silicon

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	100000 mW
Вес изделия	2.084 g
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	20
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	20
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	3 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)	1.6 kV
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	800 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.2 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	12 V
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	5 MHz
Производитель	Fairchild Semiconductor
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	FJI5603D
Торговая марка	Fairchild Semiconductor
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	I2PAK

Метки: