Ничего не куплено!
NGTB20N120IHLWG
Производитель: ON Semiconductor
Номер части: NGTB20N120IHLWG
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: NGTB20N120IHLWG
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
| Описание | действие |
| NGTB20N120IHLWG Лист данных | скачать |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/20A IGBT FSI TO-247
| Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | |
| Pd - рассеивание мощности | 250 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 40 A |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Серия | NGTB20N120IHL |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247 |
Страница создана за 0.267 секунд.