Ничего не куплено!
STGFW35HF60W
Производитель: STMicroelectronics
Номер части: STGFW35HF60W
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: STGFW35HF60W
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
| Описание | действие |
| STGFW35HF60W Лист данных | скачать |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 35A 600V UltraF IGBT Improved Eoff Temp
| Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | |
| Pd - рассеивание мощности | 88 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.5 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 36 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 18 A |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Серия | STGFW35HF60W |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-3PF |
Страница создана за 0.158 секунд.