Ничего не куплено!
IXGN50N120C3H1
Производитель: IXYS
Номер части: IXGN50N120C3H1
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: IXGN50N120C3H1
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
| Описание | действие |
| IXGN50N120C3H1 Лист данных | скачать |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) High Frequency Range >40khz CIGBT w/Diode
| Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | |
| Pd - рассеивание мощности | 460 W |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) |
| Коммерческое обозначение | GenX3 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1.2 kV |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.2 kV |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 95 A |
| Производитель | IXYS |
| Размер фабричной упаковки | 10 |
| Серия | IXGN50N120 |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | SOT-227 B-4 |
Страница создана за 0.127 секунд.