Ничего не куплено!
GT30J121(Q)
Производитель: Toshiba
Номер части: GT30J121(Q)
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: GT30J121(Q)
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V/30A DIS
| Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 30 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 30 A |
| Производитель | Toshiba |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | TO-3P |
Страница создана за 0.157 секунд.