BSC032NE2LS

BSC032NE2LS

BSC032NE2LS
Производитель: Infineon Technologies
Номер части: BSC032NE2LS
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Время выполнения производителем: 26 недель
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
Описание действие
BSC032NE2LS Лист данных скачать
МОП-транзистор N-Ch 25V 84A TDSON-8 OptiMOS
МОП-транзистор
Высота 1.27 mm
Длина 5.9 mm
Подкатегория MOSFETs
Тип продукта MOSFET
Ширина 5.15 mm
Id - непрерывный ток утечки 84 A
Pd - рассеивание мощности 37 W
Qg - заряд затвора 21 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 2.7 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 25 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.2 V
Вес изделия 190 mg
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 2.8 ns
Время спада 2.2 ns
Другие названия товара № BSC032NE2LSATMA1 SP000854378 BSC32NE2LSXT BSC032NE2LSATMA1
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение OptiMOS
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 46 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура - 55 C
Полярность транзистора N-Channel
Производитель Infineon
Размер фабричной упаковки 5000
Технология Si
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 15 ns
Типичное время задержки при включении 3.3 ns
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
Упаковка / блок TDSON-8
CAHTS 8541290000
CNHTS 8541290000
ECCN EAR99
JPHTS 8541290100
KRHTS 8541299000
MXHTS 85412999
TARIC 8541290000
USHTS 8541290095
Метки:
Страница создана за 0.171 секунд.