Ничего не куплено!
SGD02N120
Производитель: Infineon Technologies
Номер части: SGD02N120
Нормоупаковка: 2500 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: SGD02N120
Нормоупаковка: 2500 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
| Описание | действие |
| SGD02N120 Лист данных | скачать |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FAST IGBT NPT TECH 1200V 2A
| Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Другие названия товара № | SGD02N120BUMA1 SGD02N120XT SP000012566 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 6.2 A |
| Производитель | Infineon |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Серия | SGD02N120 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
Страница создана за 0.15 секунд.