Ничего не куплено!


| Описание | действие |
| OP508FC Лист данных | скачать |
| Фототранзисторы | |
| Подкатегория | Optical Detectors and Sensors |
| Тип продукта | Phototransistors |
| Pd - рассеивание мощности | 100 mW |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Длина волны | 890 nm/ 935 nm |
| Категория продукта | Фототранзисторы |
| Максимальная рабочая температура | + 100 C |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.4 V |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 30 V |
| Продукт | Phototransistors |
| Производитель | TT Electronics |
| Размер фабричной упаковки | 700 |
| Темновой ток | 100 nA |
| Тип | NPN Silicon Phototransistor |
| Торговая марка | Optek / TT Electronics |
| Упаковка | Bulk |
| Упаковка / блок | Endlooker |
| CNHTS | 8541409000 |
| ECCN | EAR99 |
| MXHTS | 85414001 |
| TARIC | 8541409090 |
| USHTS | 8541407080 |