Ничего не куплено!
IXGK50N60BU1
Производитель: IXYS
Номер части: IXGK50N60BU1
Нормоупаковка: 25 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: IXGK50N60BU1
Нормоупаковка: 25 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 75 Amps 600V 2.3 Rds
| Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | |
| Вес изделия | 10 g |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 75 A |
| Производитель | IXYS |
| Размер фабричной упаковки | 25 |
| Серия | IXGK50N60 |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-264AA-3 |
Страница создана за 0.146 секунд.