Ничего не куплено!
IXXH50N60B3D1
-500x500.jpg "IXXH50N60B3D1")
Производитель: IXYS
Номер части: IXXH50N60B3D1
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: IXXH50N60B3D1
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
| Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | |
| Pd - рассеивание мощности | 600 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
| Коммерческое обозначение | XPT, GenX3 |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.55 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 120 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 200 A |
| Производитель | IXYS |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Серия | IXXH50N60 |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
Страница создана за 0.14 секунд.