Ничего не куплено!


| Описание | действие |
| 2SC5551AF-TD-E Лист данных | скачать |
| РЧ биполярные транзисторы | |
| Pd - рассеивание мощности | 1.3 W |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | РЧ биполярные транзисторы |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | 90 at 50 mA at 5 V |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 2 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 300 mA |
| Полярность транзистора | NPN |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | 2SC5551A |
| Тип транзистора | Bipolar |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | PCP-3 |