DMN1025UFDB-7

Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: DMN1025UFDB-7
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор Dual N-Ch Enh FET 12V 10Vgs 1.7W

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	6.9 A, 6.9 A
Pd - рассеивание мощности	1.7 W
Qg - заряд затвора	12.6 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	25 mOhms, 25 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	12 V, 12 V
Vgs - напряжение затвор-исток	+/- 10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	9.3 ns
Время спада	2.8 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	2 Channel
Конфигурация	Dual
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	-
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	DMN1025
Технология	-
Тип транзистора	2 N-Channel
Типичное время задержки выключения	17.2 ns
Типичное время задержки при включении	3 ns
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	U-DFN2020-6 Type B

Метки: