MMUN2214LT1G

MMUN2214LT1G

MMUN2214LT1G
Производитель: ON Semiconductor
Номер части: MMUN2214LT1G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
Описание действие
MMUN2214LT1G Лист данных (PDF) скачать
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT NPN
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения
Высота 0.94 mm
Длина 2.9 mm
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 80
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 80
Подкатегория Transistors
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление 10 kOhms
Ширина 1.3 mm
Pd - рассеивание мощности 246 mW
Вес изделия 8 mg
Вид монтажа SMD/SMT
Категория продукта Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура - 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V
Непрерывный коллекторный ток 0.1 A
Пиковый постоянный ток коллектора 100 mA
Полярность транзистора NPN
Производитель ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки 3000
Серия MMUN2214L
Типичный коэффициент деления резистора 0.21
Торговая марка ON Semiconductor
Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
Упаковка / блок SOT-23-3
CAHTS 8541210000
CNHTS 8541210000
ECCN EAR99
JPHTS 8541210101
KRHTS 8541219000
MXHTS 85412101
TARIC 8541210000
USHTS 8541210095
Метки:
Страница создана за 0.155 секунд.