DMHC4035LSD-13

Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: DMHC4035LSD-13
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 30V Comp H-Bridge ENH FET 20VGS

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	- 2.9 A, 4 A
Pd - рассеивание мощности	1.5 W
Qg - заряд затвора	11.1 nC, 12.5 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	58 mOhms, 100 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	- 40 V, 40 V
Vgs - напряжение затвор-исток	+/- 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	- 1 V, 3 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	2.6 ns, 2.9 ns
Время спада	5.5 ns, 15.3 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	2 Channel
Конфигурация	Quad
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	-
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel, P-Channel
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	DMHC4035
Технология	-
Типичное время задержки выключения	15 ns, 36.3 ns
Типичное время задержки при включении	3.1 ns, 3.6 ns
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SO-8

Метки: