Ничего не куплено!


| Описание | действие |
| BSP110,115 Лист данных | скачать |
| МОП-транзистор | |
| Id - непрерывный ток утечки | 520 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 6.25 W |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 10 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Другие названия товара № | BSP110 T/R |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single Dual Drain |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | NXP |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | NXP Semiconductors |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | SOT-223-3 |