DMG9N65CT

Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: DMG9N65CT
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор N-Ch Enh Mode FET 650V 10V VGS 9.0A

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	9 A
Pd - рассеивание мощности	3.15 W
Qg - заряд затвора	39 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	1.3 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	650 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	5 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	29 ns
Время спада	28 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Diodes Incorporated
Размер фабричной упаковки	50
Серия	DMG9N65
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	122 ns
Типичное время задержки при включении	39 ns
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220AB-3

Метки: