Ничего не куплено!
STGW30N120KD
Производитель: STMicroelectronics
Номер части: STGW30N120KD
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: STGW30N120KD
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
| Описание | действие |
| STGW30N120KD Лист данных | скачать |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 30 A - 1200 V Rugged IGBT
| Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 25 V |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 60 A |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Размер фабричной упаковки | 600 |
| Серия | 900-1300V IGBTs |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
Страница создана за 0.143 секунд.