DN0150ALP4-7B

Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: DN0150ALP4-7B
Нормоупаковка: 10000 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 10000

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT 50V Small Sig Trans 60V VCBO 50V VCEO

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	450 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	120 at 2 mA, 6 V
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	200 mA
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	250 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	60 MHz
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	DN0150
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	DFN1006H4-3

Метки: