TPN2R503NC,L1Q

Производитель: Toshiba
Номер части: TPN2R503NC,L1Q
Нормоупаковка: 5000 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 5000

Описание Характеристики

МОП-транзистор N-Ch 30V 2230pF 40nC 2.5mOhm 85A 35W

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	85 A
Pd - рассеивание мощности	35 W
Qg - заряд затвора	40 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	2.1 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.3 V to 2.3 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	9 ns
Время спада	24 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Toshiba
Размер фабричной упаковки	5000
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	68 ns
Типичное время задержки при включении	14 ns
Торговая марка	Toshiba
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	TSON-8

Метки: