FGB7N60UNDF

Производитель: Fairchild Semiconductor
Номер части: FGB7N60UNDF
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
FGB7N60UNDF Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 7A NPT IGBT

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Pd - рассеивание мощности	83 W
Вес изделия	1.312 g
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2.1 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	14 A
Производитель	Fairchild Semiconductor
Размер фабричной упаковки	800
Серия	FGB7N60UNDF
Ток утечки затвор-эмиттер	+/- 10 uA
Торговая марка	Fairchild Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	TO-263AB (D2 PAK)

Метки: