Ничего не куплено!


| Описание | действие |
| BLT50,115 Лист данных | скачать |
| РЧ биполярные транзисторы | |
| Pd - рассеивание мощности | 2000 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Другие названия товара № | BLT50 T/R |
| Категория продукта | РЧ биполярные транзисторы |
| Конфигурация | Single Dual Emitter |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.5 A |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 10 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 3 V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Производитель | NXP |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Технология | Si |
| Тип транзистора | Bipolar Power |
| Торговая марка | NXP Semiconductors |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | SC-73 |