STGWT28IH125DF

Производитель: STMicroelectronics
Номер части: STGWT28IH125DF
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
STGWT28IH125DF Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1250V 25A trench gte field-stop IGBT

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Pd - рассеивание мощности	375 W
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	1.25 kV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2.65 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	60 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	30 A
Производитель	STMicroelectronics
Размер фабричной упаковки	300
Серия	900-1300V IGBTs
Ток утечки затвор-эмиттер	250 nA
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-3P-3

Метки: