IRF6727MTRPBF

Производитель: International Rectifier
Номер части: IRF6727MTRPBF
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
IRF6727MTRPBF Лист данных (PDF)	скачать

МОП-транзистор 30V 1 N-CH HEXFET 1.7mOhms 49nC

МОП-транзистор
Высота	0.7 mm
Длина	6.35 mm
Подкатегория	MOSFETs
Тип продукта	MOSFET
Чувствительный к влажности	Yes
Чувствительный к влажности	Yes
Ширина	5.05 mm
Id - непрерывный ток утечки	180 A
Pd - рассеивание мощности	89 W
Qg - заряд затвора	49 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	1.84 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	- 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.8 V
Вес изделия	270.274 mg
Вид монтажа	SMD/SMT
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 40 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Infineon
Размер фабричной упаковки	4800
Технология	Si
Тип транзистора	1 N-Channel
Торговая марка	Infineon / IR
Упаковка	Cut Tape, MouseReel, Reel
Упаковка / блок	DirectFET-MX
CAHTS	8541290000
CNHTS	8541290000
ECCN	EAR99
JPHTS	8541290100
KRHTS	8541299000
MXHTS	85412999
TARIC	8541290000
USHTS	8541290095

Метки: