Ничего не куплено!
STGE50NC60VD
Производитель: STMicroelectronics
Номер части: STGE50NC60VD
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: STGE50NC60VD
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
| Описание | действие |
| STGE50NC60VD Лист данных | скачать |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-chnl 50A-600V PowerMESH
| Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
| Конфигурация | Single Dual Emitter |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 80 A |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Размер фабричной упаковки | 100 |
| Серия | 600-650V IGBTs |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | ISOTOP-4 |
Страница создана за 0.137 секунд.