DMN63D8L-7

Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: DMN63D8L-7
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор N-Ch Enh Mode FET 30V 20Vgss 350mW

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	350 mA
Pd - рассеивание мощности	350 mW
Qg - заряд затвора	0.9 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	2.8 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.5 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	3.9 ns
Время спада	16.7 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	80 mS
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	DMN63D8L
Технология	-
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	11.4 ns
Типичное время задержки при включении	2.3 ns
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-23-3

Метки: