IPB065N15N3 G

Производитель: Infineon Technologies
Номер части: IPB065N15N3 G
Нормоупаковка: 1000 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1000

Описание Характеристики

МОП-транзистор N-Ch 150V 130A D2PAK-6 OptiMOS 3

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	130 A
Pd - рассеивание мощности	300 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	6.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	150 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	35 ns
Время спада	14 ns
Другие названия товара №	IPB065N15N3GATMA1 IPB065N15N3GXT SP000521724
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	OptiMOS
Конфигурация	Single Quint Source
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Infineon
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	OptiMOS 3
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	46 ns
Типичное время задержки при включении	25 ns
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	D2PAK-7

Метки: