Ничего не куплено!
FGH40T65UPD
Производитель: Fairchild Semiconductor
Номер части: FGH40T65UPD
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: FGH40T65UPD
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650 V 80 A 268 W
| Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | |
| Pd - рассеивание мощности | 268 W |
| Вес изделия | 6.390 g |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.1 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 80 A |
| Производитель | Fairchild Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки | 450 |
| Серия | FGH40T65 |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
| Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247 |
Страница создана за 0.163 секунд.