IRG8P50N120KD-EPBF

Производитель: International Rectifier
Номер части: IRG8P50N120KD-EPBF
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
IRG8P50N120KD-EPBF Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V IGBT GEN8

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Pd - рассеивание мощности	350 W
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	30 V
Минимальная рабочая температура	- 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.7 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	80 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	50 A
Производитель	International Rectifier
Ток утечки затвор-эмиттер	300 nA
Торговая марка	International Rectifier
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247AD-3

Метки: