FF11MR12W1M1B11BOMA1

FF11MR12W1M1B11BOMA1

FF11MR12W1M1B11BOMA1
Производитель: Infineon Technologies
Номер части: FF11MR12W1M1B11BOMA1
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Срок эксплуатации: Новый продукт: Новинка от этого производителя.
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
Описание действие
FF11MR12W1M1B11BOMA1 Лист данных скачать
Дискретные полупроводниковые модули
Дискретные полупроводниковые модули
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура - 40 C
Id - непрерывный ток утечки 100 A
Pd - рассеивание мощности 20 mW
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 11 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 1200 V
Vf - прямое напряжение 4 V
Vgs - напряжение затвор-исток - 10 V, 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3.5 V
Вид монтажа Press Fit
Время нарастания 16.5 ns
Время спада 28 ns
Другие названия товара № FF11MR12W1M1_B11 SP001602204
Категория продукта Дискретные полупроводниковые модули
Коммерческое обозначение CoolSIC
Конфигурация Dual
Полярность транзистора N-Channel
Продукт Power MOSFET Modules
Производитель Infineon
Рабочее напряжение питания -
Размер фабричной упаковки 24
Тип EasyDUAL Module
Типичное время задержки выключения 64.5 ns
Типичное время задержки при включении 25 ns
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Tray
Упаковка / блок Module
CNHTS 8541290000
MXHTS 85412999
TARIC 8541290000
Метки:
Страница создана за 0.145 секунд.