Ничего не куплено!
GS-010-120-1-P-E01-MR
Производитель: GaN Systems
Номер части: GS-010-120-1-P-E01-MR
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Срок эксплуатации:
Новый продукт: Новинка от этого производителя.
Номер части: GS-010-120-1-P-E01-MR
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Срок эксплуатации:
Новый продукт: Новинка от этого производителя.
Цена: по запросу
Цена в Азии: по запросу
Цена в Азии: по запросу
МОП-транзистор 100V 120A E-Mode GaN Bottom-side Cooled
| МОП-транзистор | |
| Id - непрерывный ток утечки | 120 A |
| Qg - заряд затвора | 18 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 5 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V to 7 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | GaN Systems |
| Технология | GaN |
| Торговая марка | GaN Systems |
| Упаковка / блок | Die |
Страница создана за 0.165 секунд.