RGS00TS65DHRC11

Производитель: Rohm Semiconductor
Номер части: RGS00TS65DHRC11
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Срок эксплуатации:

Новый продукт: Новинка от этого производителя.

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
RGS00TS65DHRC11 Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT FieldStop Trnch 50A; TO-247N; 650V

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Квалификация	AEC-Q101
Pd - рассеивание мощности	326 W
Вид монтажа	Through Hole
Другие названия товара №	RGS00TS65DHR
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	30 V
Минимальная рабочая температура	- 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.65 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	88 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	88 A
Производитель	ROHM Semiconductor
Размер фабричной упаковки	450
Ток утечки затвор-эмиттер	200 nA
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247N-3
CNHTS	8542390000
MXHTS	85423901

Метки: