FF45MR12W1M1B11BOMA1

Производитель: Infineon Technologies
Номер части: FF45MR12W1M1B11BOMA1
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Срок эксплуатации:

Новый продукт: Новинка от этого производителя.

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
FF45MR12W1M1B11BOMA1 Лист данных	скачать

Дискретные полупроводниковые модули

Дискретные полупроводниковые модули
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 40 C
Id - непрерывный ток утечки	25 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	45 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	1200 V
Vf - прямое напряжение	4.6 V
Vgs - напряжение затвор-исток	- 10 V, 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3.45 V
Вид монтажа	Screw Mount
Время нарастания	6.3 ns
Время спада	16.4 ns
Другие названия товара №	SP001726338
Категория продукта	Дискретные полупроводниковые модули
Конфигурация	Dual
Полярность транзистора	N-Channel
Продукт	Power MOSFET Modules
Производитель	Infineon
Размер фабричной упаковки	24
Тип	EasyDUAL Module
Типичное время задержки выключения	35.2 ns
Типичное время задержки при включении	8.2 ns
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Tray

Метки: