FF8MR12W2M1B11BOMA1

Производитель: Infineon Technologies
Номер части: FF8MR12W2M1B11BOMA1
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Срок эксплуатации:

Новый продукт: Новинка от этого производителя.

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
FF8MR12W2M1B11BOMA1 Лист данных	скачать

Дискретные полупроводниковые модули EasyDUAL 2B 1200 V, 8 mO halfbridge module with CoolSiC MOSFET, NTC and PressFIT Contact Technology.

Дискретные полупроводниковые модули
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 40 C
Id - непрерывный ток утечки	150 A
Pd - рассеивание мощности	20 mW
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	7.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	1200 V
Vf - прямое напряжение	4.6 V
Vgs - напряжение затвор-исток	- 10 V, 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3.45 V
Вид монтажа	Screw Mount
Время нарастания	16.5 ns
Время спада	28 ns
Другие названия товара №	FF8MR12W2M1_B11 SP001617622
Категория продукта	Дискретные полупроводниковые модули
Коммерческое обозначение	EasyDUAL; CoolSiC
Конфигурация	Dual
Полярность транзистора	N-Channel
Продукт	Power MOSFET Modules
Производитель	Infineon
Размер фабричной упаковки	15
Тип	EasyDUAL Module
Типичное время задержки выключения	57 ns
Типичное время задержки при включении	21.5 ns
Торговая марка	Infineon Technologies

Метки: