GSM-065-240-1-N-0

Производитель: GaN Systems
Номер части: GSM-065-240-1-N-0
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Срок эксплуатации:

Окончание срока эксплуатации: Изделие признано устаревшим и будет снято с производства.

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
GSM-065-240-1-N-0 Лист данных	скачать

МОП-транзистор 650V, 240A, 6 mOhm, GaN E-Mode Die Evaluation Module

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	240 A
Qg - заряд затвора	50 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	6 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	650 V
Vgs - напряжение затвор-исток	7 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.3 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	2 Channel
Конфигурация	Dual
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	GaN Systems
Размер фабричной упаковки	1
Технология	GaN
Тип транзистора	2 N-Channel
Торговая марка	GaN Systems
Упаковка	Bulk
Упаковка / блок	Die

Метки: