Ничего не куплено!
Описание | действие |
FGH75T65SQDT-F155 Лист данных | скачать |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | |
Pd - рассеивание мощности | 375 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.6 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 150 A |
Производитель | ON Semiconductor |
Размер фабричной упаковки | 450 |
Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
CNHTS | 8541290000 |
MXHTS | 85412999 |